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　　根据ZDNet的报道★◈★ღ，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先★◈★ღ，但它仍然严重依赖日本的关键材料★◈★ღ。该报告援引消息人士的话警告说★◈★ღ，除非本地化进程更快地推进★◈★ღ，否则这种依赖可能会成为韩国在人工智能和 HBM 竞赛中的结构性风险★◈★ღ。报告指出★◈★ღ，在 SK 海力士的 HBM 价值链中★◈★ღ，超细 TSV（硅通孔）堆叠结构依赖于由日本公司主要垄断的关键材料和设备★◈★ღ。报告强调★◈★ღ，用于 HBM 堆叠的底部填充剂——几乎完全由日本的 NAMICS 提供★◈★ღ。由于替代方案有限★◈★ღ，本地化进展缓慢★◈★ღ。此外★◈★ღ，SK

　　TrendForce集邦咨询表示★◈★ღ，第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%★◈★ღ，达到146.7亿美元★◈★ღ。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元★◈★ღ，将三星的市场份额小幅提升至 32.9%★◈★ღ。海力士第二季度收入环比增长 52.5%★◈★ღ，达到 33.4 亿美元★◈★ღ，市场份额为 21.1%★◈★ღ。铠侠第二季度营收环比增长11.4%至21.4亿美元★◈★ღ，环比增长11.4%★◈★ღ，排名第三★◈★ღ。美光收入环比增长 3.7%★◈★ღ，达到 21 亿美元★◈★ღ，市场份额为 13.3%★◈★ღ。SanDisk 的收入环比增长 12.2% 至 19 亿美元

　　三星和 SK 海力士虽然暂时免于美国政府入股的风险★◈★ღ，但随着华盛顿撤销豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允许他们自由进口美国芯片制造设备——根据路透社和彭博社的数据★◈★ღ，三星和 SK 海力士在中国遇到了新的障碍★◈★ღ。正如联邦文件所示★◈★ღ，报告表明撤销将在 120 天后开始★◈★ღ。报道补充说★◈★ღ，值得注意的是★◈★ღ，美国政府表示将批准三星和 SK 海力士的许可★◈★ღ，以维持其在中国现有晶圆厂的运营★◈★ღ，但不会批准产能扩张或技术升级必发888唯一登录网站★◈★ღ。路透社指出★◈★ღ，英特尔也上市★◈★ღ，尽管它已经在今年早些时候通过出售其大连工厂

　　据韩媒ZDNet Korea援引业界消息swag台湾官网★◈★ღ，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐★◈★ღ。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高★◈★ღ，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域★◈★ღ，导致对NAND的投资负担加重★◈★ღ。三星自2025年初开始★◈★ღ，在韩国平泽的P1厂和西安NAND厂推进转换投资★◈★ღ，主要将第6★◈★ღ、7代NAND升级至第8★◈★ღ、9代★◈★ღ。这种转换投资相较于新建投资成本更低★◈★ღ，且能部分利用现有设备★◈★ღ，效率较高★◈★ღ。然而★◈★ღ，近期三星针对最先进NAND的转换投资速度有所放缓★◈★ღ。例如★◈★ღ，P1厂的第9代NAND转换投资

　　美光  宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存★◈★ღ。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND★◈★ღ、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品★◈★ღ，现已实现商业化★◈★ღ。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计★◈★ღ。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试★◈★ღ，包括极端温度循环★◈★ღ、缺陷筛选和动态老化★◈★ღ。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证★◈★ღ，确保其在高辐射环境中的可靠性★◈★ღ。这

　　(图片来源★◈★ღ：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC）★◈★ღ，中国领先的 NAND 存储器生产商★◈★ღ，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单★◈★ღ，这基本上禁止了其获取先进制造设备★◈★ღ。尽管面临制裁和限制swag台湾官网★◈★ღ，YMTC 计划今年扩大其生产能力★◈★ღ，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%★◈★ღ，据《Digitimes》报道★◈★ღ。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线★◈★ღ。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道★◈★ღ，预计到 2024 年底★◈★ღ，YMTC 的月产能将达到每月

　　中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力★◈★ღ，在大约一年后将其产能几乎翻了一番★◈★ღ。自去年以来★◈★ღ，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角★◈★ღ，从传统 DRAM 开始★◈★ღ，在国内市场需求和政府补贴的推动下★◈★ღ，中国内存正在提高其竞争力★◈★ღ。此外★◈★ღ，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战★◈★ღ，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距★◈★ღ。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia

　　根据TrendForce预估★◈★ღ，第三季NAND Flash价格走势★◈★ღ，预估平均合约价将季增5%至10%swag台湾官网★◈★ღ，但eMMC★◈★ღ、UFS产品★◈★ღ，因智慧手机下半年展望不明swag台湾官网必发唯一中国官方网站★◈★ღ！★◈★ღ，涨幅较低★◈★ღ。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期★◈★ღ，增强第三季回补动能★◈★ღ。 而Windows 10停止支持★◈★ღ、新一代CPU推出引发换机潮必发bf88官网★◈★ღ，★◈★ღ，以及DeepSeek一体机热潮★◈★ღ，皆带动client SSD需求★◈★ღ。此外★◈★ღ，部分原厂积极推动大容量QLC产品★◈★ღ，带动出货规模★◈★ღ。 综合以上因素★◈★ღ，预估第三季client SSD将季增3%至8%★◈★ღ。随NVIDIA B

　　SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要★◈★ღ。Micron Technology Inc.近日宣布★◈★ღ，推出美光 2600 NVMe™ SSD★◈★ღ，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案★◈★ღ。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND）★◈★ღ，并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™★◈★ღ，AWT）★◈★ღ，在兼顾 QLC

　　TrendForce最新释出的存储器市场观察指出★◈★ღ，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势★◈★ღ，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动★◈★ღ，但因供需未形成紧张态势★◈★ღ，价格预期多呈持平★◈★ღ。TrendForce表示必发888唯一登录网站★◈★ღ，DDR4近期的强劲涨势★◈★ღ，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮必发888唯一登录网站★◈★ღ，但这波动能可能难以延续至年底★◈★ღ。根据通路查核★◈★ღ，随着价格进入高档区间★◈★ღ，供应商正逐步释出库存★◈★ღ，预期第四季整体供应将逐步改善swag台湾官网★◈★ღ。DDR5方面★◈★ღ，目前价格趋势稳定★◈★ღ，2025年第二★◈★ღ、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间★◈★ღ。 不过★◈★ღ，部分二线OE

　　纵观整个电子行业★◈★ღ，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势★◈★ღ。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升★◈★ღ，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存★◈★ღ，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题★◈★ღ，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术★◈★ღ、新产品可持续发展★◈★ღ，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情★◈★ღ，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell）★◈★ღ，TLC（Triple-Level Cell）★◈★ღ，以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev

　　韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文★◈★ღ，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进★◈★ღ，展示了带宽★◈★ღ、容量★◈★ღ、I/O 宽度以及热量的增加swag台湾官网★◈★ღ。该路线D 堆叠★◈★ღ、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储★◈★ღ，甚至基于机器学习的方法来控制功耗swag台湾官网★◈★ღ。请记住★◈★ღ，该文件是关于 HBM 技术假设演进的★◈★ღ，基于当前行业和研究方向★◈★ღ，而不是任何商业公司的实际路线图★◈★ღ。（图片来源★◈★ღ：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34

　　上半年★◈★ღ，时至过半★◈★ღ。回顾这半年的半导体市场★◈★ღ，似是相对平静★◈★ღ，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整★◈★ღ。它们接连「动刀」★◈★ღ，果断退出部分产品领域★◈★ღ。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头必发888唯一登录网站★◈★ღ，放弃这些芯片存储三巨头★◈★ღ，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星★◈★ღ、SK 海力士★◈★ღ、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息★◈★ღ，想必业内人士早有耳闻★◈★ღ。今年 2 月★◈★ღ，这则消息正式传来★◈★ღ，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等

　　据消息人士透露★◈★ღ，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单★◈★ღ，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务★◈★ღ。同时★◈★ღ，三星还提高了MLC NAND的价格必发888唯一登录网站★◈★ღ，促使部分客户开始寻找替代供应商★◈★ღ。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一★◈★ღ。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND★◈★ღ。目前必发888唯一登录网站★◈★ღ，LG显示正在寻求其他供应商★◈★ღ，以填补这一空缺★◈★ღ。据悉★◈★ღ，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品★◈★ღ。其中★◈★ღ，ESMT的eMMC采用了三星的MLC

　　业界传出★◈★ღ，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC）swag台湾官网★◈★ღ，近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知★◈★ღ。 随着原料缺货日益严峻★◈★ღ，载板供应中长期将出现短缺★◈★ღ。 供应链业者同步透露★◈★ღ，金价持续上涨★◈★ღ、产品交期延长★◈★ღ，NAND Flash控制芯片等领域★◈★ღ，也可望转嫁成本上涨★◈★ღ，包括群联★◈★ღ、慧荣等主控业者有机会受惠★◈★ღ。多家BT载板业者证实★◈★ღ，确实2025年5月上旬时★◈★ღ，陆续接获日本MGC书面通知★◈★ღ，部分高阶材料订单交期将进一步拉长★◈★ღ，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形★◈★ღ，已进一步向BT载板供应链蔓延bifa必发唯一官网★◈★ღ。据三菱发出的通知内容指出★◈★ღ，

　　一般快闪记忆体可分为二大规格★◈★ღ，一是NAND★◈★ღ，一是NOR. 简单的来说★◈★ღ，NAND规格快闪记忆体像硬碟★◈★ღ，以储存数据为主★◈★ღ，又称为Data Flash★◈★ღ，晶片容量大★◈★ღ，目前主流容量已达二Gb★◈★ღ；NOR规格记忆体则类似DRAM★◈★ღ，以储存程序代码为主★◈★ღ，又称为Co deFlash★◈★ღ，所以可让微处理器直接读取★◈★ღ，但晶片容量较低★◈★ღ，主流容量为五一二Mb★◈★ღ。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同★◈★ღ，读写速度也有很 [查看详细]